TK10A50D(STA4,Q,M)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

620 mOhms

Qg - 门电荷：

20 nC

Pd - 功耗：

45 W

配置：

单身的

商品名：

DTMOSIV

高度：

15 mm

长度：

10 mm

产品：

MOSFET

系列：

TK10A50D

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N沟道硅MOSFET

宽度：

4.5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

75 ns

典型的开启延迟时间：

60 ns

单位重量：

0.080072 oz

Tags

TK10A50D(S, TK10A50D, TK10A50, TK10A5, TK10A, TK10, TK1