IXFN20N120P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

570 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

6.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

193 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

595 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

12.22 mm

长度：

38.23 mm

系列：

IXFN20N120

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

极性功率 MOSFET HiPerFET

宽度：

25.42 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

10 S

秋季时间：

70 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

45 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

72 ns

典型的开启延迟时间：

49 ns

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN20, IXFN2, IXFN, IXF