IMW120R045M1XKSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1200 V

Id - 连续漏极电流：

52 A

Rds On - 漏源电阻：

59 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.5 V

Vgs - 栅源电压：

- 10 V, 20 V

Qg - 门电荷：

52 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

228 W

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

IMW120R045

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

11.1 S

秋季时间：

13 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

24 ns

出厂包装数量：

240

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

17 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

第 # 部分别名：

IMW120R045M1 SP001346254

Tags

IMW120R0, IMW12, IMW1, IMW