2N6318

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-66-2

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

80 V

集电极-基极电压 VCBO：

80 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

2 V

最大直流集电极电流：

15 A

增益带宽积 fT：

4 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

系列：

2N6318

直流电流增益 hFE 最大值：

100 at 2.5 A, 4 V

打包：

管子

品牌：

中央半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20 at 500 mA, 4 V

Pd - 功耗：

90 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

30

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N6318 PBFREE

Tags

2N631, 2N63, 2N6