SIHFS11N50A-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

11 A

Rds On - 漏源电阻：

520 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

52 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

170 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

系列：

国际金融服务协会

晶体管类型：

MOSFET

宽度：

9.65 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

6.1 S

秋季时间：

28 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

35 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

32 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

单位重量：

0.077603 oz

Tags

SIHFS, SIHF, SIH