QS8J1TR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSMT-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

4.5 A

Rds On - 漏源电阻：

29 mOhms

Vgs - 栅源电压：

10 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

长度：

3 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

QS8J1

晶体管类型：

2 P-Channel

宽度：

2.4 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

215 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

75 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

390 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

QS8J1

Tags

QS8J1, QS8J, QS8