ATF-36163-BLKG

产品属性

属性值

制造商：

博通有限公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

pHEMT

技术：

砷化镓

获得：

10 dB

Vds - 漏源击穿电压：

3 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 3 V

Id - 连续漏极电流：

40 mA

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

180 mW

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363

打包：

大部分

配置：

单四源

工作频率：

12 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs pHEMT

品牌：

博通/安华高

正向跨导 - 最小值：

60 mS

NF - 噪声系数：

12 dB

P1dB - 压缩点：

5 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

100

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000212 oz

Tags

ATF-361, ATF-36, ATF-3, ATF