CSD25501F3T

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PICOSTAR-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.6 A

Rds On - 漏源电阻：

260 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.05 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

1.02 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

CSD25501F3

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

3.4 S

秋季时间：

945 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

428 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

1154 ns

典型的开启延迟时间：

474 ns

单位重量：

0.000011 oz

Tags

CSD25, CSD2, CSD