EM6M2T2R

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

1 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

4 V, - 4.5 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

产品：

MOSFET 小信号

系列：

EM6M2

晶体管类型：

1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

10 ns, 17 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns, 4 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns, 17 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns, 6 ns

第 # 部分别名：

EM6M2

单位重量：

0.000106 oz

Tags

EM6M2T, EM6M2, EM6M, EM6