MMBZ12VALT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

TVS 二极管 / ESD 抑制器

RoHS：

Y

系列：

MMBZxxxALT1

产品类别：

ESD抑制器

Vesd - 电压 ESD 触点：

30 kV

Vesd - 电压 ESD 气隙：

-

极性：

单向

通道数：

2 Channel

端接方式：

贴片/贴片

击穿电压：

11.4 V

工作电压：

8.5 V

钳位电压：

17 V

Ipp - 峰值脉冲电流：

2.35 A

Cd - 二极管电容：

-

包装/案例：

SOT-23-3

Pppm - 峰值脉冲功耗：

40 W

Pd - 功耗：

300 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

出厂包装数量：

3000

子类别：

TVS二极管/ESD抑制二极管

Vf - 正向电压：

0.9 V

单位重量：

0.000283 oz

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