ZXMD65P03N8TA

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4.8 A

Rds On - 漏源电阻：

55 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.5 mm

长度：

5 mm

晶体管类型：

2 P-Channel

宽度：

4 mm

品牌：

二极管公司

秋季时间：

26.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6.4 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

49.5 ns

典型的开启延迟时间：

3.8 ns

单位重量：

0.002610 oz

Tags

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