ZXMHC3F381N8TC

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

4 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4.98 A, 4.13 A

Rds On - 漏源电阻：

33 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

9 nC, 12.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.87 W

配置：

四边形

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

ZXMHC3

晶体管类型：

2 N-Channel, 2 P-Channel

类型：

H桥

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

11.8 S, 14 S

秋季时间：

6.3 ns, 21 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.3 ns, 3 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

11.5 ns, 30 ns

典型的开启延迟时间：

2.5 ns, 1.9 ns

单位重量：

0.009171 oz

Tags

ZXMHC3F, ZXMHC3, ZXMHC, ZXMH, ZXM