SH8M11TB1

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

3.5 A

Rds On - 漏源电阻：

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V, 2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

1.9 nC, 4.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

3 ns, 12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns, 18 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18 ns, 35 ns

典型的开启延迟时间：

4 ns, 9 ns

Tags

SH8M11T, SH8M11, SH8M1, SH8M, SH8