IXFT18N90P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-268-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

900 V

Id - 连续漏极电流：

18 A

Rds On - 漏源电阻：

600 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

540 W

配置：

单身的

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFT18N90

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

极性功率 MOSFET HiPerFET

品牌：

IXYS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.158733 oz

Tags

IXFT18, IXFT1, IXFT, IXF