CSD88599Q5DCT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSON-CLIP-22

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

40 A

Rds On - 漏源电阻：

1.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

43 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

12 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

系列：

CSD88599Q5DC

品牌：

德州仪器

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

23 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

单位重量：

0.003549 oz

Tags

CSD885, CSD88, CSD8, CSD