SQJ401EP-T2_GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8L-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

32 A

Rds On - 漏源电阻：

6 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

109 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

83 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

系列：

质量

品牌：

威世 / Siliconix

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Tags

SQJ401EP-T, SQJ401, SQJ40, SQJ4, SQJ