SIUD402ED-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAK-0806-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1 A

Rds On - 漏源电阻：

730 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

0.75 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

TrenchFET、PowerPAK

打包：

卷轴

高度：

0.4 mm

长度：

0.8 mm

系列：

小宇

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

0.6 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

1.2 S

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

23 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns

Tags

SIUD40, SIUD, SIU