FDMS3616S

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-56-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

16 A, 18 A

Rds On - 漏源电阻：

6.6 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

19 nC, 31 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.3 W, 1 W

配置：

双重的

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

6 mm

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

63 S, 84 S

秋季时间：

1.4 ns, 2.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.7 nS, 3 nS

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19 nS, 24 nS

典型的开启延迟时间：

7.7 nS, 9.5 nS

单位重量：

0.003175 oz

Tags

FDMS361, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM