IPT60R028G7XTMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HSOF-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

75 A

Rds On - 漏源电阻：

28 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

123 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

391 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

CoolMOS G7

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

2.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

100 ns

典型的开启延迟时间：

28 ns

第 # 部分别名：

IPT60R028G7 SP001579312

Tags

IPT60R028, IPT60R02, IPT60R0, IPT60, IPT6, IPT