2N5064G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

可控硅

RoHS：

Y

系列：

2N506X

突破电流 IBO 最大值：

10 A

额定重复关断电压 VDRM：

200 V

VDRM IDRM 的断态泄漏电流：

10 uA

Vf - 正向电压：

1.7 V

最大栅极峰值反向电压：

5 V

栅极触发电压 - Vgt：

800 mV

栅极触发电流 - Igt：

0.2 mA

保持电流 Ih Max：

5 mA

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 110 C

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3 (TO-226)

目前评级：

510 mA

高度：

5.33 mm

长度：

5.2 mm

类型：

可控硅

宽度：

4.19 mm

品牌：

安森美半导体

非重复导通电流：

10 A

产品类别：

可控硅

出厂包装数量：

5000

子类别：

晶闸管

单位重量：

0.007055 oz

Tags

2N5064, 2N506, 2N50, 2N5