TPW4R50ANH,L1Q

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DSOP Advance-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

92 A

Rds On - 漏源电阻：

4.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

58 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

142 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.73 mm

长度：

5 mm

系列：

TPW4R50ANH

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

13 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9.6 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

52 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

单位重量：

0.003457 oz

Tags

TPW4R50A, TPW4R5, TPW4R, TPW4, TPW