MHT1008NT1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

154 mA

Vds - 漏源击穿电压：

- 500 mV, 65 V

获得：

18.6 dB

输出功率：

12.5 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PLD-1.5W

打包：

卷轴

工作频率：

2.45 GHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

通道数：

1 Channel

湿气敏感：

是的

Pd - 功耗：

48.1 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

第 # 部分别名：

935320685515

单位重量：

0.009877 oz

Tags

MHT10, MHT1, MHT