FDMS4435BZ

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-56-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

20 mOhms

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

39 W

配置：

单身的

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

6 mm

系列：

FDMS4435BZ

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

25 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.002610 oz

Tags

FDMS4, FDMS, FDM