ZXMC4559DN8TC

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

3.6 A, 2.6 A

Rds On - 漏源电阻：

55 mOhms, 125 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

20.4 nC, 12.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

ZXMC4

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

10.2 S, 7.2 S

秋季时间：

10.6 ns, 10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.1 ns, 4.1 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

26.2 ns, 35 ns

典型的开启延迟时间：

3.5 ns, 3.5 ns

单位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMC4559DN8, ZXMC4559D, ZXMC45, ZXMC4, ZXMC, ZXM