SSM6N35FE,LM

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ES6-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

180 mA

Rds On - 漏源电阻：

20 Ohms, 20 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.6 mm

系列：

SSM6N35

宽度：

1.2 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.000289 oz

Tags

SSM6N35F, SSM6N35, SSM6N3, SSM6N, SSM6, SSM