LND250K1-G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

13 mA

Rds On - 漏源电阻：

1 kOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 mW

配置：

单身的

频道模式：

消耗

打包：

卷轴

高度：

0.95 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

场效应管

宽度：

1.3 mm

品牌：

微芯科技

秋季时间：

450 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

450 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

100 ns

典型的开启延迟时间：

90 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

LND250K, LND25, LND2, LND