PTFA043002E V1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

1.55 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

Rds On - 漏源电阻：

80 mOhms

获得：

16 dB

输出功率：

300 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

H-30275-4

打包：

托盘

配置：

双重的

高度：

4.55 mm

长度：

41.15 mm

工作频率：

470 MHz to 860 MHz

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

10.16 mm

品牌：

英飞凌科技

频道模式：

增强

Pd - 功耗：

761 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

12 V

第 # 部分别名：

FA043002EV1XP

Tags

PTFA043002, PTFA043, PTFA04, PTFA0, PTFA, PTF