SSM3K35AMFV,L3F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VESM-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

250 mA

Rds On - 漏源电阻：

750 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

340 pC

最低工作温度：

-

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

0.5 S

秋季时间：

5.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

6.5 ns

典型的开启延迟时间：

2 ns

Tags

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