2N5786

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

T

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-39-3

晶体管极性：

NPN

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

40 V

集电极-基极电压 VCBO：

45 V

发射极基极电压 VEBO：

3.5 V

集电极-发射极饱和电压：

1 V

最大直流集电极电流：

3.5 A

增益带宽积 fT：

4 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

系列：

2N5786

直流电流增益 hFE 最大值：

120

打包：

大部分

品牌：

中央半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

4 at 1.6 A, 2 V

Pd - 功耗：

10000 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N5786 TIN/LEAD

Tags

2N5786, 2N578, 2N57, 2N5