IXBH20N300

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

3 kV

集电极-发射极饱和电压：

2.7 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

50 A

Pd - 功耗：

250 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

非常高的电压

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

50 A

高度：

21.46 mm

长度：

16.26 mm

宽度：

5.3 mm

品牌：

IXYS

栅极-发射极漏电流：

+/- 100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

30

子类别：

IGBT

商品名：

MOSFET

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXBH20N3, IXBH20, IXBH2, IXBH, IXB