TK10V60W,LVQ

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN8x8-5

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

9.7 A

Rds On - 漏源电阻：

380 mOhms

Pd - 功耗：

88.3 W

配置：

单身的

商品名：

DTMOSIV

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

8 mm

系列：

TK10V60W

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

8 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

Tags

TK10V60W,L, TK10V, TK10, TK1