GA35XCP12-247

产品属性

属性值

制造商：

GeneSiC半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

包装/案例：

TO-247AB

安装方式：

通孔

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

3 V

最大栅极发射极电压：

20 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

GA35XCP12

打包：

管子

工作温度范围：

- 40 C to + 150 C

品牌：

GeneSiC半导体

栅极-发射极漏电流：

0.3 mA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

30

子类别：

IGBT

Tags

GA35, GA3