TK6Q65W,S1Q

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-251-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

5.8 A

Rds On - 漏源电阻：

890 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

11 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

DTMOSIV

打包：

管子

高度：

6.1 mm

长度：

6.65 mm

系列：

TK6Q65W

宽度：

2.3 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

14 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 ns

典型的开启延迟时间：

34 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

TK6Q65, TK6Q, TK6