FDP8D5N10C

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

76 A

Rds On - 漏源电阻：

8.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

34 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

107 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

68 S

秋季时间：

4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

Tags

FDP8, FDP