PMN42XPEAH

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

- 20 V

Id - 连续漏极电流：

- 5.7 A

Rds On - 漏源电阻：

46 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 1.25 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

17.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1310 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

12.5 S

秋季时间：

27 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

27 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

33 ns

典型的开启延迟时间：

17 ns

Tags

PMN42XPEA, PMN42, PMN4, PMN