SIHD3N50DT4-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

3 A

Rds On - 漏源电阻：

3.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

12 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

系列：

D

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

1 S

秋季时间：

13 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

11 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

Tags

SIHD3N50DT, SIHD3, SIHD, SIH