MCH6601-TL-E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

10.4 Ohms

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

1.43 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

双重的

打包：

卷轴

系列：

MCH6601

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

130 nS

产品类别：

MOSFET

上升时间：

55 nS

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

120 nS

典型的开启延迟时间：

24 nS

单位重量：

0.000265 oz

Tags

MCH6601, MCH660, MCH66, MCH6, MCH