RHP020N06T100

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-89-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

200 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.5 mm

长度：

4.5 mm

系列：

RHP020N06

晶体管类型：

1 N-Channel MOSFET

类型：

MOSFET

宽度：

2.5 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns

第 # 部分别名：

RHP020N06

单位重量：

0.004603 oz

Tags

RHP020, RHP02, RHP0, RHP