FGA50N100BNTD2

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-3PN

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1000 V

集电极-发射极饱和电压：

1.5 V

最大栅极发射极电压：

25 V

25 C 时的连续集电极电流：

50 A

Pd - 功耗：

156 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

FGA50N100BNTD2

打包：

管子

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

栅极-发射极漏电流：

500 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

450

子类别：

IGBT

单位重量：

0.225789 oz

Tags

FGA50N100BNTD, FGA50N100B, FGA50N10, FGA50N1, FGA50N, FGA5, FGA