BSZ15DC02KD H

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSDSON-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

5.1 A, 3.2 A

Rds On - 漏源电阻：

41 mOhms, 97 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV, 1.4 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

2.8 nC, - 4.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

3.3 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

5.5 S, 3.4 S

秋季时间：

1.4 ns, 4.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2 ns, 3.7 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12.2 ns, 11.3 ns

典型的开启延迟时间：

4.9 ns, 7.4 ns

第 # 部分别名：

BSZ15DC02KDHXTMA1 SP000961028

Tags

BSZ15DC02KDH, BSZ15D, BSZ15, BSZ1, BSZ