FDD6N50TM-F085

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

760 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

89 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

系列：

FDD6N50TM_F085

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

增强型场效应晶体管

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

2.5 S

秋季时间：

35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

55 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

第 # 部分别名：

FDD6N50TM_F085

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD6N50TM, FDD6N50T, FDD6N5, FDD6N, FDD6, FDD