2N6990/TR

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-86-14

晶体管极性：

NPN

配置：

四边形

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

集电极-基极电压 VCBO：

75 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

1 V

最大直流集电极电流：

800 mA

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值：

325 at 1 mA, 10 V

打包：

卷轴

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

50 at 1 mA, 10 V

Pd - 功耗：

1 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

100

子类别：

晶体管

Tags

2N6990, 2N699, 2N69, 2N6