SSM6L12TU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UF-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V, 20 V

Id - 连续漏极电流：

500 mA

Rds On - 漏源电阻：

120 mOhms, 210 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV, 1.1 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM6L12TU

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

1 S, 0.65 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns, 15 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns, 16 ns

单位重量：

0.000247 oz

Tags

SSM6L1, SSM6L, SSM6, SSM