CJ3139KDW-G

产品属性

属性值

制造商：

康芯科技

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

660 mA

Rds On - 漏源电阻：

520 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

-

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

品牌：

康芯科技

正向跨导 - 最小值：

0.8 S

秋季时间：

20.3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

32.7 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

单位重量：

0.000212 oz

Tags

CJ3139, CJ313, CJ31, CJ3