SSM6N7002CFU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

170 mA

Rds On - 漏源电阻：

3.9 Ohms, 3.9 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

0.27 nC, 0.27 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

285 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM6N7002

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

24 ns, 24 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns, 3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7 ns, 7 ns

典型的开启延迟时间：

2 ns, 2 ns

单位重量：

0.000265 oz

Tags

SSM6N7, SSM6N, SSM6, SSM