RSE002N06TL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

250 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.7 Ohms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

RSE002N06

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

0.25 S

秋季时间：

28 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18 ns

典型的开启延迟时间：

3.5 ns

第 # 部分别名：

RSE002N06

单位重量：

0.000282 oz

Tags

RSE002N06T, RSE002N, RSE00, RSE0, RSE