PMDPB85UPE,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-2020-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.7 A

Rds On - 漏源电阻：

82 mOhms, 82 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

950 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

8.1 nC, 8.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.17 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

6 S, 6 S

秋季时间：

21 ns, 21 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

47 ns, 47 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns, 6 ns

Tags

PMDPB85, PMDPB8, PMDPB, PMDP, PMD