APTM100A13SG

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

分立半导体模块

RoHS：

Y

产品：

功率 MOSFET 模块

Vgs - 栅源电压：

30 V

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

SP-6

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

配置：

单身的

高度：

21.9 mm

长度：

108 mm

宽度：

62 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

秋季时间：

24 ns

Id - 连续漏极电流：

65 A

Pd - 功耗：

1.25 kW

产品类别：

分立半导体模块

Rds On - 漏源电阻：

130 mOhms

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

分立半导体模块

商品名：

POWER MOS 7

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

Vds - 漏源击穿电压：

1 kV

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

单位重量：

3.880136 oz

Tags

APTM100A13, APTM100A1, APTM100A, APTM100, APTM10, APTM1, APTM, APT