CZT853 TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-4

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

100 V

集电极-基极电压 VCBO：

200 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

340 mV

增益带宽积 fT：

190 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

CZT853

直流电流增益 hFE 最大值：

300 at 2 A, 2 V

打包：

卷轴

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

6 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20 at 10 A, 2 V

Pd - 功耗：

3 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

CZT853 PBFREE TR

Tags

CZT8, CZT