PSMN102-200Y,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

LFPAK56-5

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

21.5 A

Rds On - 漏源电阻：

102 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

113 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.1 mm

品牌：

Nexperia

秋季时间：

28 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

29.5 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

33 ns

典型的开启延迟时间：

14.2 ns

单位重量：

0.003037 oz

Tags

PSMN102-2, PSMN10, PSMN1, PSMN, PSM